操作系统与PCRAM

低功耗计算存储一体化技术主要针对内存和外存的存储技术进行改进，在目前的存储技术应用中，DRAM具有速度快、成本低等优势，广泛应用于计算机内存。但是DRAM在实际应用过程中，需要周期性地对电容进行刷新充电操作，会产生刷新功耗。FLASH具备非易失与存储容量大的优势，广泛应用于计算机外存。但是FLASH需要先擦后写的特性使得数据更新时会产生扇区擦除功耗。为降低以上功耗，本项目研究低功耗计算存储一体化技术。

PCRAM存储单元利用相变材料在结晶相态和非晶相态之间的电阻差异来表示0和1的状态，使得PCRAM具有非易失与低功耗存储的运行特性。